NCE3018 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 

Описание
NCE3018AS использует передовую технологию и конструкцию траншей, чтобы обеспечить превосходное RDS(ON) с низким зарядом затвора. Может использоваться в самых разных приложениях.

Общие характеристики
● VDS = 30 В, ID = 18 А
RDS(ON) < 7 мОм при VGS = 10 В
RDS(ON) < 10 мОм при VGS = 4,5 В

● Конструкция ячейки высокой плотности для сверхнизкого Rdson
● Полностью охарактеризованное лавинное напряжение и ток

Применение
● Применение для коммутации мощности
● Жестко коммутируемые и высокочастотные схемы
● Источник бесперебойного питания