NCE9926  NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 

Описание
NCE9926 использует передовую технологию траншей и конструкцию для обеспечения превосходного RDS(ON) с низким зарядом затвора. Может использоваться в самых разных приложениях.

Общие характеристики
● VDS = 20 В, ID = 6 А
RDS(ON) < 30 мОм при VGS = 4,5 В
RDS(ON) < 40 мОм при VGS = 2,5 В

● Конструкция ячейки высокой плотности для сверхнизкого Rdson
● Полностью охарактеризованное лавинное напряжение и ток

Применение
● Применение коммутации мощности
● Жестко коммутируемые и высокочастотные схемы
● Источник бесперебойного питания